1.必須采用模塊化設(shè)計(jì)，模塊采用全透明亞克力外殼，能直觀的看到內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)、元器件及電路板絲印標(biāo)識(shí)。外殼底部裝有強(qiáng)力磁石，可以吸附在支架的網(wǎng)孔背板上，位置可以任意挪動(dòng)。模塊之間可靠連接，方便組合搭配和拆卸。要求標(biāo)書內(nèi)附有符合此項(xiàng)要求的產(chǎn)品實(shí)物照片或圖片，并加以說明具體的實(shí)現(xiàn)方式；

2.MOSFET功率電路要求采用大功率MOSFET（600V/25A）的半橋型電路結(jié)構(gòu)，并帶有隔離的驅(qū)動(dòng)電路及保護(hù)電路,可以組合成半橋、H橋、三相全橋的功率電路結(jié)構(gòu)。

3.要求提供SPWM控制模塊，可以輸出相位互差120°的6路PWM波，占空比、頻率可調(diào)且死區(qū)時(shí)間≤2us。三相正弦調(diào)制波頻率20～200Hz可調(diào)，載波頻率5K~20KHz可調(diào)。以上信號(hào)均可示波器測(cè)量；

4.要求提供PWM控制模塊，可以輸出相位互差180°的2路PWM波，占空比、頻率可調(diào)且死區(qū)時(shí)間≤2us。調(diào)制波幅值可調(diào)，載波頻率5KHz、10KHz，20KHz三檔可選。以上信號(hào)均可示波器測(cè)量；

5.要求配有獨(dú)立的三相LC濾波模塊，L=1mH，C=22uF，且參數(shù)可定制；

6.要求模塊的硬件接口和電路線路圖完全開放。裝置的所有電路結(jié)構(gòu)、線路原理圖全部開放；所有功能接口的信號(hào)定義、特性、功能和技術(shù)指標(biāo)全部開放。要求標(biāo)書內(nèi)附有IGBT半橋結(jié)構(gòu)的模塊電路圖截圖和說明性資料；

7.設(shè)備硬件可與NI仿真器做無縫對(duì)接，進(jìn)行半實(shí)物仿真及設(shè)計(jì)性實(shí)驗(yàn)；

8.實(shí)驗(yàn)要求：

（1）MOSFET特性實(shí)驗(yàn)

（2）PWM控制原理實(shí)驗(yàn)

（3）SPWM控制原理實(shí)驗(yàn)

（4）降壓斬波電路（Buck Chopper）實(shí)驗(yàn)

（5）升壓斬波電路（Boost Chopper）實(shí)驗(yàn)

（6）升降壓斬波電路（Boost-Buck Chopper）實(shí)驗(yàn)

（7）單相全橋逆變電路實(shí)驗(yàn)

（8）三相橋式逆變電路實(shí)驗(yàn)

（9）單相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)

（10）單相橋式全控整流電路實(shí)驗(yàn)

（11）三相半波可控整流電路實(shí)驗(yàn)

（12）三相橋式全控整流電路實(shí)驗(yàn)

（13）單相交流調(diào)壓實(shí)驗(yàn)